MSC080SMA120B | Roving Networks / Microchip Technology MSC080SMA120B

MSC080SMA120B

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	MSC080SMA120B
LIXINC Part #	MSC080SMA120B
Hersteller	Roving Networks / Microchip Technology
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MSC080SMA120B PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

MSC080SMA120B Spezifikationen

Artikelnummer:	MSC080SMA120B
Marke:	Roving Networks / Microchip Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Roving Networks / Microchip Technology
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	37A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	20V
rds auf (max) @ id, vgs:	100mOhm @ 15A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	2.8V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	64 nC @ 20 V
vgs (max):	+23V, -10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	838 pF @ 1000 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	200W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247-3
Paket / Koffer:	TO-247-3