FCP190N60-GF102 | Rochester Electronics FCP190N60-GF102 | FCP190N60-GF102 Inventory, Best Pricing

FCP190N60-GF102

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Artikelnummer	FCP190N60-GF102
LIXINC Part #	FCP190N60-GF102
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FCP190N60-GF102 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FCP190N60-GF102 Spezifikationen

Artikelnummer:	FCP190N60-GF102
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	SuperFET® II
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	20.2A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	199mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	74 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2.95 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	208W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220-3
Paket / Koffer:	TO-220-3