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IRFH7110TRPBF

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Artikelnummer	IRFH7110TRPBF
LIXINC Part #	IRFH7110TRPBF
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 11A/58A 8PQFN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRFH7110TRPBF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

IRFH7110TRPBF Spezifikationen

Artikelnummer:	IRFH7110TRPBF
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	HEXFET®
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	11A (Ta), 58A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	13.5mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	87 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	3.24 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3.6W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer:	8-TQFN Exposed Pad