SIDR402DP-T1-GE3

SIDR402DP-T1-GE3
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Artikelnummer SIDR402DP-T1-GE3
LIXINC Part # SIDR402DP-T1-GE3
Hersteller Vishay / Siliconix
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle SIDR402DP-T1-GE3 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SIDR402DP-T1-GE3 Spezifikationen

Artikelnummer:SIDR402DP-T1-GE3
Marke:Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:Vishay / Siliconix
Serie:TrenchFET® Gen IV
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:64.6A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:0.88mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:165 nC @ 10 V
vgs (max):+20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:9100 pF @ 20 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer:PowerPAK® SO-8

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