IRF7779L2TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRF7779L2TRPBF | IRF7779L2TRPBF Inventory, Best Pricing

IRF7779L2TRPBF

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Artikelnummer	IRF7779L2TRPBF
LIXINC Part #	IRF7779L2TRPBF
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRF7779L2TRPBF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IRF7779L2TRPBF Spezifikationen

Artikelnummer:	IRF7779L2TRPBF
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	HEXFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	150 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	375A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	11mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	150 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	6660 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3.3W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	DIRECTFET L8
Paket / Koffer:	DirectFET™ Isometric L8

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