NP82N04NDG-S18-AY | Rochester Electronics NP82N04NDG-S18-AY | NP82N04NDG-S18-AY Inventory, Best Pricing

NP82N04NDG-S18-AY

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Artikelnummer	NP82N04NDG-S18-AY
LIXINC Part #	NP82N04NDG-S18-AY
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 82A 3LDPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NP82N04NDG-S18-AY PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NP82N04NDG-S18-AY Spezifikationen

Artikelnummer:	NP82N04NDG-S18-AY
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	82A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	-
rds auf (max) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	150 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	9000 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.8W (Ta), 143W (Tc)
Betriebstemperatur:	175°C
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	3-LDPAK
Paket / Koffer:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA