FCD4N60TM | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FCD4N60TM

FCD4N60TM

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Artikelnummer	FCD4N60TM
LIXINC Part #	FCD4N60TM
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FCD4N60TM PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FCD4N60TM Spezifikationen

Artikelnummer:	FCD4N60TM
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	SuperFET™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	3.9A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	16.6 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	540 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	50W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	D-Pak
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63