RM18P100HDE | Rectron USA RM18P100HDE | RM18P100HDE Inventory, Best Pricing

RM18P100HDE

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Artikelnummer	RM18P100HDE
LIXINC Part #	RM18P100HDE
Hersteller	Rectron USA
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 100V 18A TO263-2
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RM18P100HDE PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

RM18P100HDE Spezifikationen

Artikelnummer:	RM18P100HDE
Marke:	Rectron USA
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rectron USA
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	18A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	100mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1300 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	70W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-263-2
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB