AONV210A60 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AONV210A60

AONV210A60

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Artikelnummer	AONV210A60
LIXINC Part #	AONV210A60
Hersteller	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 4.1A/20A 4DFN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	AONV210A60 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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AONV210A60 Spezifikationen

Artikelnummer:	AONV210A60
Marke:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Serie:	aMOS5™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4.1A (Ta), 20A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	210mOhm @ 7.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	34 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1935 pF @ 100 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	8.3W (Ta), 208W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	4-DFN-EP (8x8)
Paket / Koffer:	4-PowerTSFN