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PMV30XPAR

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Artikelnummer	PMV30XPAR
LIXINC Part #	PMV30XPAR
Hersteller	Nexperia
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	PMV30XPAR PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 21 - Sep 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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PMV30XPAR Spezifikationen

Artikelnummer:	PMV30XPAR
Marke:	Nexperia
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Nexperia
Serie:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4.9A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	2.5V, 8V
rds auf (max) @ id, vgs:	33mOhm @ 4.9A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	1.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	16 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1039 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-236AB
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3