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SCTW100N65G2AG

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Artikelnummer	SCTW100N65G2AG
LIXINC Part #	SCTW100N65G2AG
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	SICFET N-CH 650V 100A HIP247
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SCTW100N65G2AG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 21 - Sep 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SCTW100N65G2AG Spezifikationen

Artikelnummer:	SCTW100N65G2AG
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	100A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	18V
rds auf (max) @ id, vgs:	26mOhm @ 50A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	162 nC @ 18 V
vgs (max):	+22V, -10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	3315 pF @ 520 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	420W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	HiP247™
Paket / Koffer:	TO-247-3