IPI80N06S2L11AKSA2 | Rochester Electronics IPI80N06S2L11AKSA2 | IPI80N06S2L11AKSA2 Inventory, Best Pricing

IPI80N06S2L11AKSA2

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	IPI80N06S2L11AKSA2
LIXINC Part #	IPI80N06S2L11AKSA2
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPI80N06S2L11AKSA2 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

IPI80N06S2L11AKSA2 Spezifikationen

Artikelnummer:	IPI80N06S2L11AKSA2
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	55 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	80A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	-
rds auf (max) @ id, vgs:	11mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 93µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	80 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2075 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	158W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO262-3
Paket / Koffer:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IPD096N08N3GATMA1	MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3	882 Mehr auf Bestellung
STP5N105K5	MOSFET N-CH 1050V 3A TO220	1736 Mehr auf Bestellung
IXTA2N100P-TRL	MOSFET N-CH 1000V 2A TO263	852 Mehr auf Bestellung
SIHB22N60E-GE3	MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK	7701 Mehr auf Bestellung
FQB7P20TM-F085	MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK	1349 Mehr auf Bestellung
R6004ENDTL	MOSFET N-CH 600V 4A CPT3	3467 Mehr auf Bestellung
IXFH230N075T2	MOSFET N-CH 75V 230A TO247AD	1702 Mehr auf Bestellung
FQPF18N20V2	MOSFET N-CH 200V 18A TO220F	2037 Mehr auf Bestellung
IPW60R250CPFKSA1	N-CHANNEL POWER MOSFET	858 Mehr auf Bestellung
BUK7Y6R0-60EX	MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56	834 Mehr auf Bestellung
IPD70N04S307ATMA1	N-CHANNEL POWER MOSFET	10656 Mehr auf Bestellung
AOB282L	MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO263	832 Mehr auf Bestellung
FQNL2N50BTA	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0	20999 Mehr auf Bestellung