FCH085N80-F155 | Rochester Electronics FCH085N80-F155 | FCH085N80-F155 Inventory, Best Pricing

FCH085N80-F155

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Artikelnummer	FCH085N80-F155
LIXINC Part #	FCH085N80-F155
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 46A TO247
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FCH085N80-F155 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FCH085N80-F155 Spezifikationen

Artikelnummer:	FCH085N80-F155
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	SuperFET® II
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	800 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	46A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	85mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 4.6mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	255 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	10.825 pF @ 100 V
fet-Funktion:	Super Junction
Verlustleistung (max.):	446W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247
Paket / Koffer:	TO-247-3