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IRLU3636PBF

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Artikelnummer	IRLU3636PBF
LIXINC Part #	IRLU3636PBF
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRLU3636PBF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IRLU3636PBF Spezifikationen

Artikelnummer:	IRLU3636PBF
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	HEXFET®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	50A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	6.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	49 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	3779 pF @ 50 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	143W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	I-PAK
Paket / Koffer:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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