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Artikelnummer | IPB108N15N3GATMA1 |
LIXINC Part # | IPB108N15N3GATMA1 |
Hersteller | IR (Infineon Technologies) |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | IPB108N15N3GATMA1 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
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Artikelnummer: | IPB108N15N3GATMA1 |
Marke: | IR (Infineon Technologies) |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
Serie: | OptiMOS™ |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 150 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 83A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 8V, 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 10.8mOhm @ 83A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 160µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 55 nC @ 10 V |
vgs (max): | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 3230 pF @ 75 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 214W (Tc) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / Koffer: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Auf Lager | 15212 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $4.50000 | $4.5 |
1000 | $2.47659 | $2476.59 |
2000 | $2.35276 | $4705.52 |
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