STLD125N4F6AG | STMicroelectronics STLD125N4F6AG | STLD125N4F6AG Inventory, Best Pricing

STLD125N4F6AG

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	STLD125N4F6AG
LIXINC Part #	STLD125N4F6AG
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	STLD125N4F6AG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 28 - Oct 02 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

STLD125N4F6AG Spezifikationen

Artikelnummer:	STLD125N4F6AG
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	STripFET™ F6
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	120A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	6.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	3mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	91 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	5600 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	130W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PowerFlat™ (5x6) Dual Side
Paket / Koffer:	8-PowerWDFN