XPN6R706NC,L1XHQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation XPN6R706NC,L1XHQ

XPN6R706NC,L1XHQ

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Artikelnummer	XPN6R706NC,L1XHQ
LIXINC Part #	XPN6R706NC,L1XHQ
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	XPN6R706NC,L1XHQ PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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XPN6R706NC,L1XHQ Spezifikationen

Artikelnummer:	XPN6R706NC,L1XHQ
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	U-MOSVIII-H
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	40A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	6.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 300µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	35 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2000 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	840mW (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur:	175°C
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Paket / Koffer:	8-PowerVDFN