NVC3S5A51PLZT1G

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Artikelnummer NVC3S5A51PLZT1G
LIXINC Part # NVC3S5A51PLZT1G
Hersteller Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung MOSFET P-CH 60V 1.8A 3CPH
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle NVC3S5A51PLZT1G PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NVC3S5A51PLZT1G Spezifikationen

Artikelnummer:NVC3S5A51PLZT1G
Marke:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:-
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:P-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:1.8A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:250mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.6V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:6 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:262 pF @ 20 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):1.2W (Ta)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:3-CPH
Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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