CSD19536KCS

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Artikelnummer CSD19536KCS
LIXINC Part # CSD19536KCS
Hersteller Texas Instruments
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle CSD19536KCS PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CSD19536KCS Spezifikationen

Artikelnummer:CSD19536KCS
Marke:Texas Instruments
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:Texas Instruments
Serie:NexFET™
Paket:Tube
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:150A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:2.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:153 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:12000 pF @ 50 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):375W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:TO-220-3
Paket / Koffer:TO-220-3

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