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STH310N10F7-2

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Artikelnummer	STH310N10F7-2
LIXINC Part #	STH310N10F7-2
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	STH310N10F7-2 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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STH310N10F7-2 Spezifikationen

Artikelnummer:	STH310N10F7-2
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	DeepGATE™, STripFET™ VII
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	180A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	2.5mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	180 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	12800 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	315W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	H2Pak-2
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB