APT28M120B2 | Roving Networks / Microchip Technology APT28M120B2

APT28M120B2

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Artikelnummer	APT28M120B2
LIXINC Part #	APT28M120B2
Hersteller	Roving Networks / Microchip Technology
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	APT28M120B2 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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APT28M120B2 Spezifikationen

Artikelnummer:	APT28M120B2
Marke:	Roving Networks / Microchip Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Roving Networks / Microchip Technology
Serie:	POWER MOS 8™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	29A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	560mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	300 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	9670 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1135W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	T-MAX™ [B2]
Paket / Koffer:	TO-247-3 Variant