VP0109N3-G | Roving Networks / Microchip Technology VP0109N3-G

VP0109N3-G

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Artikelnummer	VP0109N3-G
LIXINC Part #	VP0109N3-G
Hersteller	Roving Networks / Microchip Technology
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 90V 250MA TO92-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	VP0109N3-G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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VP0109N3-G Spezifikationen

Artikelnummer:	VP0109N3-G
Marke:	Roving Networks / Microchip Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Roving Networks / Microchip Technology
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	90 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	250mA (Tj)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	8Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	60 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-92-3
Paket / Koffer:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)