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RF4E100AJTCR

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Artikelnummer	RF4E100AJTCR
LIXINC Part #	RF4E100AJTCR
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RF4E100AJTCR PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

RF4E100AJTCR Spezifikationen

Artikelnummer:	RF4E100AJTCR
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	10A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	12.4mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	13 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1460 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	HUML2020L8
Paket / Koffer:	8-PowerUDFN

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