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CSD19538Q2T

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Artikelnummer	CSD19538Q2T
LIXINC Part #	CSD19538Q2T
Hersteller	Texas Instruments
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CSD19538Q2T PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CSD19538Q2T Spezifikationen

Artikelnummer:	CSD19538Q2T
Marke:	Texas Instruments
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Texas Instruments
Serie:	NexFET™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	13.1A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	59mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	5.6 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	454 pF @ 50 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	6-WSON (2x2)
Paket / Koffer:	6-WDFN Exposed Pad

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