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NTMSD3P102R2SG

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Artikelnummer	NTMSD3P102R2SG
LIXINC Part #	NTMSD3P102R2SG
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NTMSD3P102R2SG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NTMSD3P102R2SG Spezifikationen

Artikelnummer:	NTMSD3P102R2SG
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	FETKY™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	2.34A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	85mOhm @ 3.05A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	25 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	750 pF @ 16 V
fet-Funktion:	Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.):	730mW (Ta)
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SOIC
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)