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STQ1HN60K3-AP

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Artikelnummer	STQ1HN60K3-AP
LIXINC Part #	STQ1HN60K3-AP
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	STQ1HN60K3-AP PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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STQ1HN60K3-AP Spezifikationen

Artikelnummer:	STQ1HN60K3-AP
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	SuperMESH3™
Paket:	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	400mA (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	8Ohm @ 600mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	9.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	140 pF @ 50 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-92-3
Paket / Koffer:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)