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HAT2172N-EL-E

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Artikelnummer	HAT2172N-EL-E
LIXINC Part #	HAT2172N-EL-E
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 30A 8LFPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	HAT2172N-EL-E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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HAT2172N-EL-E Spezifikationen

Artikelnummer:	HAT2172N-EL-E
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	30A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	-
rds auf (max) @ id, vgs:	7.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	32 nC @ 10 V
vgs (max):	-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2.42 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	20W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-LFPAK-iV
Paket / Koffer:	8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)