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IRFS31N20DTRLP

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Artikelnummer	IRFS31N20DTRLP
LIXINC Part #	IRFS31N20DTRLP
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRFS31N20DTRLP PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IRFS31N20DTRLP Spezifikationen

Artikelnummer:	IRFS31N20DTRLP
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	HEXFET®
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	31A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	82mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	107 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2.37 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3.1W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	D2PAK
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB