BUK9E6R1-100E,127 | Rochester Electronics BUK9E6R1-100E,127 | BUK9E6R1-100E,127 Inventory, Best Pricing

BUK9E6R1-100E,127

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Artikelnummer	BUK9E6R1-100E,127
LIXINC Part #	BUK9E6R1-100E,127
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BUK9E6R1-100E,127 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 11 - Oct 15 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BUK9E6R1-100E,127 Spezifikationen

Artikelnummer:	BUK9E6R1-100E,127
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	TrenchMOS™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	120A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	5.9mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	133 nC @ 5 V
vgs (max):	±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	17.46 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	349W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	I2PAK
Paket / Koffer:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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