IPL60R385CPAUMA1 | Rochester Electronics IPL60R385CPAUMA1 | IPL60R385CPAUMA1 Inventory, Best Pricing

IPL60R385CPAUMA1

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	IPL60R385CPAUMA1
LIXINC Part #	IPL60R385CPAUMA1
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPL60R385CPAUMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

IPL60R385CPAUMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IPL60R385CPAUMA1
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	CoolMOS™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	9A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	385mOhm @ 5.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 340µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	17 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	790 pF @ 100 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	83W (Tc)
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-VSON-4
Paket / Koffer:	4-PowerTSFN