SSM6K411TU(TE85L,F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM6K411TU(TE85L,F | SSM6K411TU(TE85L,F Inventory, Best Pricing

SSM6K411TU(TE85L,F

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Artikelnummer	SSM6K411TU(TE85L,F
LIXINC Part #	SSM6K411TU(TE85L,F
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 10A UF6
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SSM6K411TU(TE85L,F PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SSM6K411TU(TE85L,F Spezifikationen

Artikelnummer:	SSM6K411TU(TE85L,F
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	U-MOSIV
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	10A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	2.5V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	12mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	9.4 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	710 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1W (Ta)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	UF6
Paket / Koffer:	6-SMD, Flat Leads