HAT2279N-EL-E

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Artikelnummer HAT2279N-EL-E
LIXINC Part # HAT2279N-EL-E
Hersteller Rochester Electronics
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung MOSFET N-CH 80V 30A 8LFPAK
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle HAT2279N-EL-E PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

HAT2279N-EL-E Spezifikationen

Artikelnummer:HAT2279N-EL-E
Marke:Rochester Electronics
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:Rochester Electronics
Serie:-
Paket:Bulk
Teilstatus:Obsolete
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):80 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:30A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
rds auf (max) @ id, vgs:12.3mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:60 nC @ 10 V
vgs (max):-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3.52 pF @ 10 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):25W (Tc)
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:8-LFPAK-iV
Paket / Koffer:8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)

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