TK39J60W5,S1VQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK39J60W5,S1VQ

TK39J60W5,S1VQ

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Artikelnummer	TK39J60W5,S1VQ
LIXINC Part #	TK39J60W5,S1VQ
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TK39J60W5,S1VQ PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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TK39J60W5,S1VQ Spezifikationen

Artikelnummer:	TK39J60W5,S1VQ
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	DTMOSIV
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	38.8A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	65mOhm @ 19.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 1.9mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	135 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	4100 pF @ 300 V
fet-Funktion:	Super Junction
Verlustleistung (max.):	270W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-3P(N)
Paket / Koffer:	TO-3P-3, SC-65-3