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CSD19531Q5AT

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Artikelnummer	CSD19531Q5AT
LIXINC Part #	CSD19531Q5AT
Hersteller	Texas Instruments
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CSD19531Q5AT PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CSD19531Q5AT Spezifikationen

Artikelnummer:	CSD19531Q5AT
Marke:	Texas Instruments
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Texas Instruments
Serie:	NexFET™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	100A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	6.4mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	48 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	3870 pF @ 50 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3.3W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-VSONP (5x6)
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN