IMZ120R045M1XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IMZ120R045M1XKSA1 | IMZ120R045M1XKSA1 Inventory, Best Pricing

IMZ120R045M1XKSA1

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Artikelnummer	IMZ120R045M1XKSA1
LIXINC Part #	IMZ120R045M1XKSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IMZ120R045M1XKSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IMZ120R045M1XKSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IMZ120R045M1XKSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	CoolSiC™
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	52A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	15V
rds auf (max) @ id, vgs:	59mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	5.7V @ 10mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	52 nC @ 15 V
vgs (max):	+20V, -10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1900 pF @ 800 V
fet-Funktion:	Current Sensing
Verlustleistung (max.):	228W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO247-4-1
Paket / Koffer:	TO-247-4