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NDDL01N60ZT4G

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Artikelnummer	NDDL01N60ZT4G
LIXINC Part #	NDDL01N60ZT4G
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 800MA DPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NDDL01N60ZT4G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NDDL01N60ZT4G Spezifikationen

Artikelnummer:	NDDL01N60ZT4G
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	800mA (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	15Ohm @ 400mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	4.9 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	92 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	26W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	DPAK
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63