NVTFS4C25NTAG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVTFS4C25NTAG

NVTFS4C25NTAG

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Artikelnummer	NVTFS4C25NTAG
LIXINC Part #	NVTFS4C25NTAG
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 10.1A/22.1A 8DFN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NVTFS4C25NTAG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NVTFS4C25NTAG Spezifikationen

Artikelnummer:	NVTFS4C25NTAG
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	10.1A (Ta), 22.1A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	17mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	10.3 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	500 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3W (Ta), 14.3W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-WDFN (3.3x3.3)
Paket / Koffer:	8-PowerWDFN

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