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SCT30N120

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Artikelnummer	SCT30N120
LIXINC Part #	SCT30N120
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SCT30N120 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SCT30N120 Spezifikationen

Artikelnummer:	SCT30N120
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	40A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	20V
rds auf (max) @ id, vgs:	100mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	2.6V @ 1mA (Typ)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	105 nC @ 20 V
vgs (max):	+25V, -10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1700 pF @ 400 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	270W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	HiP247™
Paket / Koffer:	TO-247-3