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NVMFS5833NWFT1G

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Artikelnummer	NVMFS5833NWFT1G
LIXINC Part #	NVMFS5833NWFT1G
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	N-CHANNEL, MOSFET
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NVMFS5833NWFT1G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

NVMFS5833NWFT1G Spezifikationen

Artikelnummer:	NVMFS5833NWFT1G
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	16A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	7.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	32.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1.714 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3.7W (Ta), 112W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN