SQ3426AEEV-T1_BE3 | Vishay / Siliconix SQ3426AEEV-T1_BE3 | SQ3426AEEV-T1

SQ3426AEEV-T1_BE3

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	SQ3426AEEV-T1_BE3
LIXINC Part #	SQ3426AEEV-T1_BE3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SQ3426AEEV-T1_BE3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

SQ3426AEEV-T1_BE3 Spezifikationen

Artikelnummer:	SQ3426AEEV-T1_BE3
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	7A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	42mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	14 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1100 pF @ 30 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	5W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	6-TSOP
Paket / Koffer:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6