TK8R2A06PL,S4X | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK8R2A06PL,S4X

TK8R2A06PL,S4X

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Artikelnummer	TK8R2A06PL,S4X
LIXINC Part #	TK8R2A06PL,S4X
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 50A TO220SIS
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TK8R2A06PL,S4X PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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TK8R2A06PL,S4X Spezifikationen

Artikelnummer:	TK8R2A06PL,S4X
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	U-MOSIX-H
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	50A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	11.4mOhm @ 8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 300µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	28.4 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1990 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	36W (Tc)
Betriebstemperatur:	175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220SIS
Paket / Koffer:	TO-220-3 Full Pack