A2T18S162W31GSR3 | NXP Semiconductors A2T18S162W31GSR3 | A2T18S162W31GSR3 Inventory, Best Pricing

A2T18S162W31GSR3

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Artikelnummer	A2T18S162W31GSR3
LIXINC Part #	A2T18S162W31GSR3
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Beschreibung	IC TRANS RF LDMOS
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	A2T18S162W31GSR3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 21 - Oct 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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A2T18S162W31GSR3 Spezifikationen

Artikelnummer:	A2T18S162W31GSR3
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	LDMOS
Frequenz:	1.84GHz
gewinnen:	20.1dB
Spannung - testen:	28 V
Nennstrom (Ampere):	-
Rauschzahl:	-
Aktueller Test:	1 A
Leistung:	32W
Spannung - bewertet:	65 V
Paket / Koffer:	NI-780GS-2L2LA
Gerätepaket des Lieferanten:	NI-780GS-2L2LA

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