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A2T18H455W23NR6

A2T18H455W23NR6
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Artikelnummer A2T18H455W23NR6
LIXINC Part # A2T18H455W23NR6
Hersteller NXP Semiconductors
Kategorie Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Beschreibung AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle A2T18H455W23NR6 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

A2T18H455W23NR6 Spezifikationen

Artikelnummer:A2T18H455W23NR6
Marke:NXP Semiconductors
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Hersteller:NXP Semiconductors
Serie:-
Paket:Tape & Reel (TR)
Teilstatus:Obsolete
Transistortyp:LDMOS
Frequenz:1.805GHz ~ 1.88GHz
gewinnen:14.5dB
Spannung - testen:31.5 V
Nennstrom (Ampere):10µA
Rauschzahl:-
Aktueller Test:1.08 A
Leistung:56dBm
Spannung - bewertet:65 V
Paket / Koffer:OM-1230-4L2S
Gerätepaket des Lieferanten:OM-1230-4L2S

A2T18H455W23NR6 Unterlagen

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