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A2T09VD300NR1

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Artikelnummer	A2T09VD300NR1
LIXINC Part #	A2T09VD300NR1
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Beschreibung	IC TRANS RF LDMOS
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	A2T09VD300NR1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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A2T09VD300NR1 Spezifikationen

Artikelnummer:	A2T09VD300NR1
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	LDMOS (Dual)
Frequenz:	920MHz
gewinnen:	21.5dB
Spannung - testen:	48 V
Nennstrom (Ampere):	-
Rauschzahl:	-
Aktueller Test:	1.2 A
Leistung:	79W
Spannung - bewertet:	105 V
Paket / Koffer:	TO-270-6 Variant, Flat Leads
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-270WB-6A

CPH5870-TL-E	NCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES	180652 Mehr auf Bestellung
IRF1S30P05SM	IRF1S30P05SM	951 Mehr auf Bestellung
ARF468AG	RF MOSFET (VDMOS)	998 Mehr auf Bestellung
RF3L05150CB4	150 W, 28/32 V RF POWER LDMOS TR	887 Mehr auf Bestellung
BF909AR215	MOSFET N-CH SOT-143R	9835 Mehr auf Bestellung
MWT-3F	HIGH POWER GAAS MESFET	951 Mehr auf Bestellung
SCH1410-TL-E	NCH 2.5V DRIVE SERIES	948 Mehr auf Bestellung
BF886H6327XTSA1	MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-343	933 Mehr auf Bestellung
GTVA101K42EV-V1-R250	GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ	997 Mehr auf Bestellung
PTFB241402F-V1-R250	IC AMP RF LDMOS	981 Mehr auf Bestellung
PD57045-E	FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10	882 Mehr auf Bestellung
IGN0912LM500	GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND	959 Mehr auf Bestellung
GTRA362802FC-V1-R2	280W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH	987 Mehr auf Bestellung

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