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MRFE8VP8600HSR5

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Artikelnummer	MRFE8VP8600HSR5
LIXINC Part #	MRFE8VP8600HSR5
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Beschreibung	BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MRFE8VP8600HSR5 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 22 - Oct 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MRFE8VP8600HSR5 Spezifikationen

Artikelnummer:	MRFE8VP8600HSR5
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	LDMOS
Frequenz:	860MHz
gewinnen:	21dB
Spannung - testen:	50 V
Nennstrom (Ampere):	20µA
Rauschzahl:	-
Aktueller Test:	1.4 A
Leistung:	140W
Spannung - bewertet:	115 V
Paket / Koffer:	NI-1230-4S
Gerätepaket des Lieferanten:	NI-1230-4S

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
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