BLF6G27-10G,112 | Ampleon BLF6G27-10G,112 | BLF6G27-10G,112 Inventory, Best Pricing

BLF6G27-10G,112

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	BLF6G27-10G,112
LIXINC Part #	BLF6G27-10G,112
Hersteller	Ampleon
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Beschreibung	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BLF6G27-10G,112 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 23 - Oct 27 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

BLF6G27-10G,112 Spezifikationen

Artikelnummer:	BLF6G27-10G,112
Marke:	Ampleon
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Hersteller:	Ampleon
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	LDMOS
Frequenz:	2.5GHz ~ 2.7GHz
gewinnen:	19dB
Spannung - testen:	28 V
Nennstrom (Ampere):	3.5A
Rauschzahl:	-
Aktueller Test:	130 mA
Leistung:	2W
Spannung - bewertet:	65 V
Paket / Koffer:	SOT-975C
Gerätepaket des Lieferanten:	CDFM2

J300_D26Z	JFET N-CH 25V TO92	983 Mehr auf Bestellung
PTFA192001E1V4R250XTMA1	IC RF POWER TRANSISTOR	805 Mehr auf Bestellung
BLC8G24LS-240AVU	TRANS RF 240W 65V LDMOS SOT1252	912 Mehr auf Bestellung
PTFA071701EV4R250XTMA1	FET RF LDMOS 170W H36248-2	892 Mehr auf Bestellung
MRF6S19120HR3	FET RF 68V 1.99GHZ NI-780	956 Mehr auf Bestellung
ATF-541M4-BLK	IC ENHANCED MOD SUDIOMORPHIC HEM	952 Mehr auf Bestellung
PTFA072401ELV4R250XTMA1	FET RF LDMOS 240W H33288-2	819 Mehr auf Bestellung
MRF8P26080HR3	FET RF 2CH 65V 2.62GHZ NI780-4	891 Mehr auf Bestellung
PTFA210701FV4R250XTMA1	IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2	906 Mehr auf Bestellung
PTFA091201GL V1 R250	IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2	902 Mehr auf Bestellung
ATF-38143-TR2G	FET RF 4.5V 2GHZ SOT343	894 Mehr auf Bestellung
J211_D27Z	JFET N-CH 25V 20MA TO92	808 Mehr auf Bestellung
ATF-58143-BLKG	FET RF 5V 2GHZ SOT-343	805 Mehr auf Bestellung