A2G35S200-01SR3

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Artikelnummer	A2G35S200-01SR3
LIXINC Part #	A2G35S200-01SR3
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Beschreibung	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	A2G35S200-01SR3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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A2G35S200-01SR3 Spezifikationen

Artikelnummer:	A2G35S200-01SR3
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	GaN HEMT
Frequenz:	3.4GHz ~ 3.6GHz
gewinnen:	16.1dB
Spannung - testen:	48 V
Nennstrom (Ampere):	-
Rauschzahl:	-
Aktueller Test:	291 mA
Leistung:	180W
Spannung - bewertet:	125 V
Paket / Koffer:	NI-400S-2S
Gerätepaket des Lieferanten:	NI-400S-2S

A2G35S200-01SR3 Unterlagen

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