2SJ637-E | Rochester Electronics 2SJ637-E | 2SJ637-E Inventory, Best Pricing

2SJ637-E

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	2SJ637-E
LIXINC Part #	2SJ637-E
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Beschreibung	PCH 4V DRIVE SERIES
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2SJ637-E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 08 - Jul 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

2SJ637-E Spezifikationen

Artikelnummer:	2SJ637-E
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	*
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	-
Frequenz:	-
gewinnen:	-
Spannung - testen:	-
Nennstrom (Ampere):	-
Rauschzahl:	-
Aktueller Test:	-
Leistung:	-
Spannung - bewertet:	-
Paket / Koffer:	-
Gerätepaket des Lieferanten:	-

BLF888A,112	RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A	1043 Mehr auf Bestellung
AFT09MS031NR1	FET RF 40V 870MHZ TO-270-2	1336 Mehr auf Bestellung
BLF6G27-75,112	RF TRANSISTOR	874 Mehr auf Bestellung
NE3513M04-T2B-A	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	4860952 Mehr auf Bestellung
BLC10G15XS-301AVTZ	BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/TRAYDP	853 Mehr auf Bestellung
BLA1011-2,112	RF FET LDMOS 75V 16DB SOT538A	956 Mehr auf Bestellung
BF511,215	JFET N-CH 20V 30MA SOT23	1075 Mehr auf Bestellung
MRF136	FET RF 65V 400MHZ 211-07	1030 Mehr auf Bestellung
MMRF1312GSR5	TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V	893 Mehr auf Bestellung
PD55035-E	FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10	980 Mehr auf Bestellung
BLM7G1822S-80ABY	RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12111	1019 Mehr auf Bestellung
CGHV60075D5-GP4	RF MOSFET HEMT 50V DIE	980 Mehr auf Bestellung
3SK291(TE85L,F)	MOSFET N-CH SMQ	1178 Mehr auf Bestellung