BLF888AS,112

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Artikelnummer	BLF888AS,112
LIXINC Part #	BLF888AS,112
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Beschreibung	RF PFET, 2-ELEMENT, ULTRA HIGH F
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BLF888AS,112 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

BLF888AS,112 Spezifikationen

Artikelnummer:	BLF888AS,112
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	LDMOS (Dual), Common Source
Frequenz:	860MHz
gewinnen:	21dB
Spannung - testen:	50 V
Nennstrom (Ampere):	-
Rauschzahl:	-
Aktueller Test:	1.3 A
Leistung:	250W
Spannung - bewertet:	110 V
Paket / Koffer:	SOT539B
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT539B

BLF888AS,112 Unterlagen

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