MCH3312-EBM-TL-E | Rochester Electronics MCH3312-EBM-TL-E | MCH3312-EBM-TL-E Inventory, Best Pricing

MCH3312-EBM-TL-E

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	MCH3312-EBM-TL-E
LIXINC Part #	MCH3312-EBM-TL-E
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Beschreibung	PCH 4V DRIVE SERIES
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MCH3312-EBM-TL-E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 21 - Sep 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

MCH3312-EBM-TL-E Spezifikationen

Artikelnummer:	MCH3312-EBM-TL-E
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	*
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	-
Frequenz:	-
gewinnen:	-
Spannung - testen:	-
Nennstrom (Ampere):	-
Rauschzahl:	-
Aktueller Test:	-
Leistung:	-
Spannung - bewertet:	-
Paket / Koffer:	-
Gerätepaket des Lieferanten:	-

BLD6G22LS-50,112	RF TRANSISTOR	972 Mehr auf Bestellung
CPH6413-TL-E	NCH 2.5V DRIVE SERIES	339808 Mehr auf Bestellung
BLP8G10S-45PGY	RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP	1163 Mehr auf Bestellung
BF1105WR,115	MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R	838 Mehr auf Bestellung
BLP10H610AZ	RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN	1232 Mehr auf Bestellung
MRFE6VP8600HR5	FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230	1046 Mehr auf Bestellung
BLC8G27LS-240AVJ	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12521	911 Mehr auf Bestellung
MWT-773	FET RF 5V 26GHZ PKG 73	1123 Mehr auf Bestellung
CE3512K2-C1	RF FET 4V 12GHZ 4MICROX	21892 Mehr auf Bestellung
BLF571,112	RF MOSFET LDMOS 50V SOT467C	967 Mehr auf Bestellung
BLL8H1214L-250U	RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A	969 Mehr auf Bestellung
BF1009SRE6327HTSA1	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	9915 Mehr auf Bestellung
MRFG35003N6T1	RF S BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C	4932 Mehr auf Bestellung